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产品描述
参数
描述
XN2152-1型L波段上变频电路集成了频率合成器和发射通道上变频器。其中上变频器集成了本振缓冲放大器、正交混频器、可控增益放大器、有源双转单电路。频率合成器电路集成VCO、参考buffer、参考分频器等单元，具有很高的集成度。频率合成器用于提供射频本振信号，上变频器将中频输入信号与频率合成器提供的本振信号混频实现上变频功能。防静电能力达到500V（HBM）。
特点
• 集成一路发射和本振频率源
• 中频输入频率：55MHz~85MHz
• 射频输出频率：1800MHz
•上下边带可切换
• 高输出线性度：OCP-1≥0dBm
•射频输出功率可变范围：7dB
• 高边带抑制：≥30dB
• 参考输入信号频率：10MHz~100MHz
• 低本振相位噪声：≤-105dBc/Hz@100kHz
• 工作电流120mA@5.0V
器件特征
| 器件名称 | 封装形式 | 封装尺寸 | 工作温度 |
| XN2152-1 | QFN48 | 6×6×0.75 mm³ | -40℃～85℃ |
应用范围
• L波段上变频信号系统
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